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單片機-DIP8

2021-05-18 3317

概述

采用CMOS制(zhi)造,更高(gao)效的操作與雙極型驅動器。具(ju)有(you)TTL兼容輸(shu)入(ru),可承受高(gao)達VDD + 0.3V或低(di)至-55的輸(shu)入(ru),這(zhe)消除了需要外部電平轉換電路及其(qi)相關的成本(ben)和尺寸,提高(gao)整(zheng)體(ti)系統的可靠性。


功能

鎖存保護(hu)將承受> 1.5反向(xiang)輸出電流

邏輯輸(shu)入可承受5V的(de)負擺(bai)幅(fu)

ESD保護4kV

匹配上升和(he)下(xia)降時間25nsec

高峰值(zhi)輸(shu)出電流6A峰值(zhi)


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